ОТНОСИТЕЛЬНАЯ ЛЕТУЧЕСТЬ ZrCl4 и НfCl4 ВЫШЕ ИХ ТОЧКИ ПЛАВЛЕНИЯ
Л. А. НИСЕЛЬСОН, В. И. СТОЛЯРОВ
Прямая ректификация тетрахлоридов циркония и гафния является одним из наиболеe перспективных путей разделения этих элементов [1–3]. В литературе отсутствуют данные по относительной летучести тетрахлоридов циркония и гафния при температурах, выше точки их плавления, т. е. в условиях, при которых протекает процесс ректификации. В работе из данных по давлению насыщенных паров над тетрахлоридом ZrCl4 и HfCl4 была подсчитана их относительная летучесть в предположении подчинимости смесей указанных тетрахлоридов закону Рауля. Это предположение следует из одинаковости кристаллических структур и близости молекулярных радиусов тетрахлоридов циркония и гафния. Оно имеет свое дополнительное подтверждение в диаграмме плавкости системы ZrCl2 — HfCl4, которая представляет собой непрерывный ряд твердых растворов с ходом линий солидуса и ликвидуса, отвечающим идеальной системе [5]. Согласно работе [4], относительная летучесть тетрахлоридов циркония и гафния, экстраполированная на их температуру плавления, равна 1,7. Нами было проведено прямое определение относительной летучести указанных тетрахлоридов при ~ 450° С, т. е. приблизительно на 15° выше температуры плавления ZrCl4. Поскольку диапазон жидкого состояния (tкр — tпл) составляет для ZrCl4 68º С, а для НfСl4 ~ 20º С [6], определение относительной летучести (α) выполнялось для смесей на основе тетрахлорида циркония. Из-за высокого давления насыщенных паров над жидким ZrCl4 (27 ата при 450º С) для определения а был выбран метод равновесного испарения Релея. Этот метод достаточно прост и удобен при работе с избыточным давлением.

Схема прибора показана на рисунке. Толстостенный стакан - куб (6) из нержавеющей стали 1Х18Н9Т имеет навинчивающуюся крышку, которая уплотняется прокладкой из мягкого никеля. Куб имеет карман для термопары (4) и вентиль (7), через который производится отбор паровой фазы, собираемой в пробирке — сборнике (8). Куб помещен в алюминиевый блок (3), обогреваемый электропечью (2). Для предотвращения ректифицирующего эффекта температурное поле электропечи имеет незначительный градиент, направленный снизу вверх. Температура измерялась хромель-алюмелевой термопарой с потенциометром типа ПП [1]. Куб загружался в «сухой» камере смесью хлоридов, предварительно перегнанных в ампуле. Навеска выбиралась из расчета заполнения куба расплавленным хлоридом на 0,6—0,7 его полного объема, что составляло в нашем случае около 60—70 г ZrCl4. Заполненный смесью хлоридов куб откачивался с небольшим нагревом. После откачки вентиль запирался и температура поднималась до рабочей (450º С), при которой система выдерживалась от 2 до 3 ч. Для ускорения достижения равновесия вся установка подвергалась покачиванию. Отбор паровой фазы в количестве 1—2 г производился очень медленно в течение нескольких минут. Для промывки вентиля и отводной трубки первая порция отбора обычно отбрасывалась. После отбора паровой фазы кубу давали медленно остыть, и из застывшего в кристаллический монолит тетрахлорида высверливались трубчатым сверлом пробы для анализа жидкой фазы.
Данные определений относительной летучести тетрахлоридов циркония и гафния (температура 450º С; концентрация HfCl4 в жидкой фазе смеси тетрахлоридов 0,15 – 0,30 мол. %)

Определение гафния выполнялось спектральным путем после перевода проб тетрахлорида циркония в двуокись. Специальными пробами было установлено, что минимальная относительная ошибка спектрального анализа имеет место для содержаний гафния от 1 до 0,1%. Все определения относительной летучести были выполнены в этом диапазоне концентраций. Для сведения к минимуму ошибки при определении а анализ сопряженных образцов двуокисей полученных из жидкой и паровой фаз производился съемкой на одну и ту же пластинку в строго одинаковом режиме работы искрового генератора. Относительная летучесть рассчитывалась по данным не менее трех параллельных спектральных определений. Результаты определений сведены в таблицу. Как видно из последней, среднее значение из 4-х опытов дает величину относительной летучести тетрахлоридов циркония и гафния при ~ 450º С, равную 1,7 ± 0,01. Таким образом, значение а, непосредственно измеренное нами, совпало с данными работы [4], полученными расчетным путем и экстраполированными из области низких температур.
ВЫВОДЫ
Методом равновесного испарения определена относительная летучесть (α) тетрахлоридов циркония и гафния при 450º С. Было найдено, что αZrCl4/HfCl4 = 1,70 ± 0,01.
Поступила в редакцию 5 августа 1963 г.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Л. А. Нисельсон. Ст. в сб. «Методы разделения близких по свойствам металлов», Металлургиздат, М., 1962.
- M. L. Bromberg. Пат. США, Nº 2852446 от 16 сентября 1958 г.
- Л. А. Нисельсон. Ст. в сб. «Чистые металлы и полупроводники», Металлург- издат, м., 1959.
- A. A. Palko, A. D. Ryon, D. W. Kuhn. J. Phys. Chem., 62, 319 (1958).
- Л. А. Нисельсон. Ж. неорган. химии, 7, 693 (1962).
- Л. А. Нисельсон, Т. Д. Соколова. Ж. неорган. химии, 7, 2653 (1962).
