RU

Глубокая очистка мышьяка методом кристаллизации (2)

Просмотры: 1 296
Авторы: В.А. федоров, А.А. Гасанов, Н.А. Потолоков,

     Высокочистый мышьяк квалификации 99,9999 мас.% (6N) находит широкое применение в технологии полупроводниковых материалов. Вместе с тем имеются процессы, в которых требуются образцы, однородные по макроструктуре, с минимальным количеством дефектов. К таким технологиям относится метод молекулярно-лучевой эпитаксии с применением мышьяка квалификации 7N. В последнее время значительный интерес проявляется к очистке мышьяка методом направленной кристаллизации из расплава. Показана принципиальная возможность получения продукта квалификации 7N с использованием финишной стадии — кристаллизационной очистки. Практическая реализация метода связана с технической сложностью оформления процесса.

     В сообщении изложены результаты исследований физико-химических и технологических основ получения мышьяка квалификации 99,99999 мас.% из различного сырья с применением метода направленной кристаллизации.

     Изучены фазовые равновесия «расплав-кристалл» и «кристалл-пар» для ряда систем мышьяк-примесь.

     Важным этапом процесса кристаллизационной очистки является предварительное удаление As2O3, который вызывает разрушение кварцевых ампул.

     Изучение эффективности кристаллизационной очистки мышьяка проводили на лабораторной установке по двум схемам: «сублимационной» и «кристаллизационной».

     Сублимационный процесс включает использование активных добавок (коллекторов примесей) и фильтрацию паров. Получен из технического мышьяка и «ос.ч. 17-4» продукт 6N. Финишная кристаллизация обеспечивает достижение чистоты 7N. Определены оптимальные режимы, которые послужили основой создания макета установки кристаллизации, включающей также блоки очистки от As2O3 и сублимации мышьяка.

     Получены слитки мышьяка, состоящие из 1-2 монокристаллических блоков.

     Метод направленной кристаллизации обеспечивает получение мышьяка уникальной чистоты 99,99999 мас.% из исходных образцов 6N. Направленную кристаллизацию проводят в вертикальном ростовом блоке установки при рабочей температуре 800°С и давлении инертного газа 35-38 атм. Ампулу перемещают со скоростью 5 мм/ч. Высокая степень чистоты кристаллических образцов мышьяка подтверждается также значениями относительного остаточного электросопротивления (8000-12000). Монокристаллический мышьяк обладает высокой устойчивостью к воздействию внешней среды.

     Скорость его окисления на несколько порядков ниже, чем у образцов, полученных сублимацией.

     Работа выполнена при поддержке Программы фундаментальных научных исследований Президиума Российской академии наук №39 «Фундаментальные основы и энергоэффективные, ресурсосберегающие, инновационные технологии переработки минерального сырья, утилизации промышленных и бытовых отходов».

Ключевые слова:
Поиск
Введите название соединения или его ID
Этот сайт использует файлы cookie. Продолжая просматривать этот веб-сайт, вы соглашаетесь на использование файлов cookie.