ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕДЕНИЯ НЕКОТОРЫХ ФТОРОГАЛЛАТОВ ЩЕЛОЧНЫХ МЕТАЛЛОВ В ВОДНОМ РАСТВОРЕ
Б. Н. ИВАНОВ-ЭМИН, Л. А. НИСЕЛЬСОН, Л. Е. ЛАРИОНОВА
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕДЕНИЯ НЕКОТОРЫХ ФТОРОГАЛЛАТОВ ЩЕЛОЧНЫХ МЕТАЛЛОВ В ВОДНОМ РАСТВОРЕ
Фторогаллаты щелочных металлов состава 3LiF⋅GaF3; 3NaF⋅GaF3; 2KF⋅GaF3⋅H2O, RbF⋅GaF3⋅2H2O и CsF⋅GaF3⋅2H2O выделены в виде кристаллических веществ и описаны впервые Педжем [1]. Удаление воды из фторогаллатов калия, рубидия и цезия при нагревании выше 230° указывает, по нашему мнению, на комплексное строение рассматриваемых соединений в кристаллическом состоянии. Так, соединения лития и натрия должны иметь координационную формулу – Me3[GaF6], фторогаллаткалия – K2[GaF5⋅H2O], соединения рубидия и цезия - Me[GaF4 2Н2О]. Здесь явственно проявляется общая закономерность уменьшения числа ионов - аддендов в комплексном анионе с увеличением ионного радиуса катиона, наблюдаемая у комплексных анионов с достаточно большой величиной константы нестойкости. Эта закономерность наблюдается также у гидроксоиндатов и гидроксоскандиатов щелочных металлов [2-4]. Кроме того, Педжем были выделены в кристаллическом состоянии фторогаллаты стронция и бария- Ме3 [GaF6] ⋅ H2O и фторогаллаты ряда элементов больших периодов, которым можно приписать координационную формулу [Me(H2O)6] ⋅ [GaF5⋅Н2O), где Ме–ионы цинка, кадмия, меди, никеля, кобальта и марганца. Изучение растворимости в системе GaCl3 - NaF – Н2O при 25°, проведенное И.В. Тананаевым и Н. В. Баусовой [5] методами электропроводности, анализа твердой и жидкой фаз, а также синтезом соответствующего соединения, показало образование практически нерастворимого сложного соединения 13NaF⋅5GaF3. Приведенные литературные данные по фторогаллатам позволяют сделать вывод, что эти соединения в кристаллическом состояний являются комплексными соединениями. Однако исследование системы GaCl3 - HF - Н2O методом измерения рН, проведенное теми же авторами [5], показало присутствие только иона GaF2+; других комплексных ионов в условиях опыта обнаружить не удалось. С этой точки зрения интересным являлось исследование поведения фторогаллатов щелочных металлов в водном растворе для выяснения характера диссоциации этих соединений. Изучению в водных растворах методом электропроводности подвергались фторогаллаты калия, рубидия и цезия. Одновременно для сравнения проводилось изучение в растворе гидрата фторида галлия GaF3⋅3H2O, синтезированного по методу И. В. Тананаева и Н. В. Баусовой. Растворы для исследования готовились растворением навески соли в очищенной соответствующим способом воде и разбавлением исходных растворов. Измеренные величины рН растворов фторида галлия и фторогаллатов щелочных металлов при разбавлении от 100 до 2000 имели значения 4-4,8. Результаты определения молекулярной электропроводности представ- лены в табл. 1 и на рисунке.

Рассмотрение данных определения молекулярной электропроводности позволяет сделать вывод о выраженном в сильной степени распаде комплексного аниона в водном растворе по схеме:
K2 [GaF5⋅H2O] → GaF3+2KF+H2O;
Rb [GaF4⋅2H2O] → GaF3+RbF+2H2O.

Распад форогаллат-ионов по приведённой схеме подтверждается тем, что сумма электропроводности фторида щелочного металла и электропроводности фторида галлия, определенной нами, довольно четко совпадает с величиной молекулярной электропроводности фторогаллатов (табл.2) Фторид галлия как это видно из данных молекулярной электропроводности, мало диссоциирован в растворе. Молекулярная электропроводность постепенно возрастает с разбавлением и достигает значения, характерного для двухионного электролита, лишь при разбавлениях 700—1000. Следовательно, при разбавлении раствора происходит гидратация и диссоциация по схеме:
[GaF3•3H2O] + H2O → [GaF2•4H2O]+ F-.

При дальнейшем разбавлении увеличивается диссоциация комплексного катиона. Определение молекулярной электропроводности подтверждает присутствие в растворе гидратированного иона GaF2 +, обнаруженного И. В. Тананаевым и Н. В. Баусовой при изучении системы GaCl3—NaF – H2O при концентрации 0,03 мол. По данным электропроводности, полученным нами, ион GaF2+ образуется в значительной концентрации лишь при больших разбавлениях (700—1000). Такое расхождение может быть объяснено действием иона Н + (в условиях исследования И. В. Тананава В. А Баусовой), сдвигающего равновесие в сторону образования дифторидгаллий-иона: GaF3+ H+→ GaF2 + HF. С разбавлением раствора происходит усиление гидролиза как фторида таллия, так и фторогаллатов, что видно из изменений величины рН при разбавлении. рН - метрическое титрование растворов фторида галлия и фторогаллатов щелочных металлов раствором щелочи показывает, что в растворе фторида галлия осадок появляется при более низком значении рН, чем в случае фторогаллатов. Это явление объясняется стабилизирующим действием иона фтора (из фторида щелочного металла) на устойчивость катиона GaF2+. В случае фторида галлия осадок образуется при рН, равном 4,7, у фторогаллатов - при рН 4,34 - 4,36. Растворение осадка происходит при рН 9,8—10,1, однако количество щелочи всегда несколько превышает четыре эквивалента, необходимых для образования галлатиона. Обычно для полного растворения необходимо прибавить 4,3—4,5 эквивалента щелочи. В области четвертого эквивалента щелочи имеет место некоторое замедление в росте величины рН, указывающее на образование тетрагидроксогаллата натрия. Концентрация титруемых растворов соединений галлия составляла 0,01 мол, раствор едкого кали имел концентрацию 0,1.
ВЫВОДЫ
- Молекулярная электропроводность фторида галлия в растворе медленно возрастает с разбавлением и достигает электропроводности двух ионного электролита лишь при V ~ 700—1000 л/моль. Диссоциация протекает по схеме: [GaF3⋅3H2O] + H2O → [GaF2⋅4H2O]+ + F–.
- Изучение молекулярной электропроводности фторогаллатов калия, рубидия и цезия показывает полный распад комплексного аниона в водном растворе по схемам:
K2 [GaF5⋅H2O] → 2KF+GaF3+H2O,
Cs[GaF4⋅2H2O]→CsF+GaF3+2H2O.
Образующийся фторид галлия диссоциирует с возникновением ионов GaF2+.
Поступила в редакцию 6 июня 1959 г.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- 1. W. Pugh. J. Chem. Soc. (London), 1959 (1937).
- 2. Б. Н. Иванов-Эмин, Э. А. Остроумов. Ж. общ. химии, 9, 1595 (1947).
- 3. Б.Н. Иванов-Эмин, Э.А. Остроумов. Ж. неорган. химии, 4, 71 (1959).
- 4. Б. Н. Иванов-Эмин, Л.А. Нисельсон. Ж. неорган. химии, 4, 1386 (1959).
- 5. И. В. Тананаев, Н. В. Баусова. Химия редких элементов, 2, 21 (1955).
